Infineon Technologies SGD02N60
- SGD02N60
- Infineon Technologies
- IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SGD02N60 Datenblatt
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 2408
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| Teilenummer SGD02N60 |
| Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart - |
| Paket/Koffer - |
| Gerätepaket des Lieferanten - |
| Power-Max - |
| Transistortyp - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) - |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) - |
| Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic - |
| Strom – Kollektorabschaltung (max.) - |
| DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce - |
| Frequenzübergang - |
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Bemerkungen
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