Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3
- SI1050X-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI1050X-T1-GE3 Datenblatt
- SOT-563, SOT-666
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 26032
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer SI1050X-T1-GE3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie TrenchFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SOT-563, SOT-666 |
Gerätepaket des Lieferanten SC-89 (SOT-563F) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 236mW (Ta) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.34A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 1.34A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @Id 900mV @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.6 nC @ 5 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 585 pF @ 4 V |
Vgs (Max) ±5V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.5V, 4.5V |
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Bemerkungen
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