Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-E3
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- SI2306BDS-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI2306BDS-T1-E3 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4176
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| Teilenummer SI2306BDS-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.16A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 305 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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