Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3
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- SI2312BDS-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI2312BDS-T1-GE3 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 2693
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| Teilenummer SI2312BDS-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 850mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.8V, 4.5V |
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Bemerkungen
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In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
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