Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3
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- SI2367DS-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI2367DS-T1-GE3 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1793
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| Teilenummer SI2367DS-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 8 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 561 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.8V, 4.5V |
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