Vishay Siliconix SI2393DS-T1-GE3
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- SI2393DS-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI2393DS-T1-GE3 Datenblatt
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1818
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| Teilenummer SI2393DS-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten SOT-23-3 (TO-236) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.1A (Ta), 7.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.7mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25.2 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 980 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) +16V, -20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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