Vishay Siliconix SI3430DV-T1-GE3
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- SI3430DV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3430DV-T1-GE3 Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 12881
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| Teilenummer SI3430DV-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP |
| Paket -Reel® |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.14W (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA (Min) |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 6V, 10V |
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Bemerkungen
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In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
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