Vishay Siliconix SI3442BDV-T1-E3
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- SI3442BDV-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3442BDV-T1-E3 Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4338
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| Teilenummer SI3442BDV-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 860mW (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.8V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 295 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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