Vishay Siliconix SI3467DV-T1-GE3
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- SI3467DV-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI3467DV-T1-GE3 Datenblatt
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
-
Lead free / RoHS Compliant - 1583
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| Teilenummer SI3467DV-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP |
| Paket SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Serie TrenchFET? |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-TSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.14W (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4.5V, 10V |
| Vgs (Max) ±20V |
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