Vishay Siliconix SI4463BDY-T1-GE3
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- SI4463BDY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4463BDY-T1-GE3 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3271
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SI4463BDY-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO |
| Paket Tube |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 13.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) ±12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 10V |
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