Vishay Siliconix SI4465ADY-T1-GE3
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- SI4465ADY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 8SOIC
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4465ADY-T1-GE3 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3099
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SI4465ADY-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 8V 8SOIC |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.7A (Ta), 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 14A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.8V, 4.5V |
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Bemerkungen
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