Vishay Siliconix SI4660DY-T1-GE3
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- SI4660DY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4660DY-T1-GE3 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4173
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| Teilenummer SI4660DY-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO |
| Paket Bulk |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2410 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±16V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
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