Vishay Siliconix SI4866DY-T1-E3
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- SI4866DY-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4866DY-T1-E3 Datenblatt
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 2449
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| Teilenummer SI4866DY-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 12V 11A 8SO |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 600mV @ 250µA (Min) |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) ±8V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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