Vishay Siliconix SI5457DC-T1-GE3
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- SI5457DC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI5457DC-T1-GE3 Datenblatt
- 8-SMD, Flat Lead
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 10224
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| Part Number SI5457DC-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 5.7W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V |
| Package_case 8-SMD, Flat Lead |
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