Vishay Siliconix SI6413DQ-T1-GE3
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- SI6413DQ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI6413DQ-T1-GE3 Datenblatt
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
-
Lead free / RoHS Compliant - 15617
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| Teilenummer SI6413DQ-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP |
| Paket 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Serie TrenchFET? |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-TSSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.05W (Ta) |
| FET-Typ P-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 800mV @ 400µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 5V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 1.8V, 4.5V |
| Vgs (Max) ±8V |
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