Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-E3
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- SI6463BDQ-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI6463BDQ-T1-E3 Datenblatt
- 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2946
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| Teilenummer SI6463BDQ-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-TSSOP |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) - |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 800mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) - |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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