Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3
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- SI6562CDQ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SI6562CDQ-T1-GE3 Datenblatt
- 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 26915
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| Teilenummer SI6562CDQ-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-TSSOP (0.173\", 4.40mm Width) |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-TSSOP |
| Power-Max 1.6W, 1.7W |
| FET-Typ N and P-Channel |
| FET-Funktion Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.7A, 6.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 850pF @ 10V |
SI6562CDQ-T1-GE3 Garantien
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Bemerkungen
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