SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SI7106DN-T1-GE3

Name: SI7106DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7106DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

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Artikelnummer： SI7106DN-T1-GE3
Hersteller： Vishay Siliconix
Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Kategorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt： SI7106DN-T1-GE3 Datenblatt
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Paket/Fall： PowerPAK® 1212-8
Paket： Cut Tape (CT)
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
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SI7106DN-T1-GE3 Spezifikationen

Part Number
SI7106DN-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

Package
Cut Tape (CT)

Series
TrenchFET®

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
PowerPAK® 1212-8

Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-

Vgs (Max)
±12V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V

Package_case
PowerPAK® 1212-8

Product Introduction
Datasheet
Beispielanwendung
Verpackung
FAQ

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Unser anhaltender Erfolg ist das Ergebnis einer kontinuierlichen Optimierung der Produktqualität und -zuverlässigkeit, der Optimierung von Service und Geschäftsprozessen.

jinfftry-guarantee2 Servicegarantie
Unser Service garantiert Kundenzufriedenheit.
Wir haben ein erfahrenes Verkaufsteam und ein technisches Support-Team, um alle Kundenanforderungen zu erfüllen.

jinfftry-guarantee3 Qualitätssicherung
Wir gewähren eine 90-tägige Garantie.
Wenn die Qualität des Produkts, das Sie erhalten, nicht dem Standard entspricht, werden wir einen Ersatz oder eine Rückerstattung für Sie arrangieren. Sie müssen den Artikel jedoch im Originalzustand an uns zurücksenden.

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