Vishay Siliconix SI7113DN-T1-GE3
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- SI7113DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI7113DN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 16854
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| Part Number SI7113DN-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case PowerPAK® 1212-8 |
| Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.2A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 134mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case PowerPAK® 1212-8 |
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