Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3
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- SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI7116BDN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 8535
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| Teilenummer SI7116BDN-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 1212-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18.4A (Ta), 65A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1915 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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