Vishay Siliconix SI7315DN-T1-GE3
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- SI7315DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI7315DN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 2862
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| Teilenummer SI7315DN-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 |
| Paket Bulk |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 1212-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.9A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 315mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 880 pF @ 75 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 7.5V, 10V |
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