Vishay Siliconix SI7455DP-T1-E3
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- SI7455DP-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI7455DP-T1-E3 Datenblatt
- PowerPAK® SO-8
- PowerPAK? SO-8
-
Lead free / RoHS Compliant - 1956
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| Teilenummer SI7455DP-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 |
| Paket PowerPAK? SO-8 |
| Serie TrenchFET? |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SO-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 28A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5160pF @ 40V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 6V, 10V |
| Vgs (Max) ±20V |
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