Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3
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- SI8416DB-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 16A 6MICROFOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8416DB-T1-GE3 Datenblatt
- 6-UFBGA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3168
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| Teilenummer SI8416DB-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 8V 16A 6MICROFOOT |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 6-UFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten 6-microfoot |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 800mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1470 pF @ 4 V |
| Vgs (Max) ±5V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.2V, 4.5V |
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