Vishay Siliconix SI8439DB-T1-E1
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- SI8439DB-T1-E1
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8439DB-T1-E1 Datenblatt
- 4-UFBGA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 732
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| Part Number SI8439DB-T1-E1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 4-UFBGA |
| Supplier Device Package 4-Microfoot |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - |
| Vgs (Max) ±5V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V |
| Package_case 4-UFBGA |
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