Vishay Siliconix SI8475EDB-T1-E1
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- SI8475EDB-T1-E1
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8475EDB-T1-E1 Datenblatt
- 4-XFBGA, CSPBGA
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 9177
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| Teilenummer SI8475EDB-T1-E1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 4-XFBGA, CSPBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten 4-Microfoot |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.9A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
| Vgs (Max) ±12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 4.5V |
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Bemerkungen
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