Vishay Siliconix SIA427ADJ-T1-GE3
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- SIA427ADJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIA427ADJ-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® SC-70-6
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2207
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| Teilenummer SIA427ADJ-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SC-70-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 19W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 8 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 800mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2300 pF @ 4 V |
| Vgs (Max) ±5V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 1.2V, 4.5V |
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