Vishay Siliconix SIA438EDJ-T1-GE3
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- SIA438EDJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIA438EDJ-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® SC-70-6
- PowerPAK? SC-70-6
-
Lead free / RoHS Compliant - 11668
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| Teilenummer SIA438EDJ-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L |
| Paket PowerPAK? SC-70-6 |
| Serie TrenchFET? |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SC-70-6 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1.4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 350pF @ 10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 2.5V, 4.5V |
| Vgs (Max) ±12V |
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Bemerkungen
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