Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3
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- SIA810DJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIA810DJ-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- PowerPAK? SC-70-6 Dual
-
Lead free / RoHS Compliant - 6681
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| Teilenummer SIA810DJ-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Paket PowerPAK? SC-70-6 Dual |
| Serie LITTLE FOOT? |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 1V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 400pF @ 10V |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 1.8V, 4.5V |
| Vgs (Max) ±8V |
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