SIDC09D60E6YX1SA1

Infineon Technologies SIDC09D60E6YX1SA1

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  • SIDC09D60E6YX1SA1
  • Infineon Technologies
  • DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
  • Diodes - Rectifiers - Single
  • SIDC09D60E6YX1SA1 Datenblatt
  • Die
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3592
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
SIDC09D60E6YX1SA1
Kategorie
Diodes - Rectifiers - Single
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
Paket
Bulk
Serie
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Gerätepaket des Lieferanten
Sawn on foil
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
20A (DC)
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 20 A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
27 µA @ 600 V
Kapazität@Vr,F
-
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600 V
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
150 ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C

SIDC09D60E6YX1SA1 Garantien

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