Infineon Technologies SIDC59D170HX1SA2
- SIDC59D170HX1SA2
- Infineon Technologies
- DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
- Diodes - Rectifiers - Single
- SIDC59D170HX1SA2 Datenblatt
- Die
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 3137
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer SIDC59D170HX1SA2 |
| Kategorie Diodes - Rectifiers - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER |
| Paket Bulk |
| Serie - |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Sawn on foil |
| Diodentyp Standard |
| Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 100A (DC) |
| Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 100 A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr 27 µA @ 1700 V |
| Kapazität@Vr,F - |
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700 V |
| Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Betriebstemperatur – Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
SIDC59D170HX1SA2 Garantien



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