Vishay Siliconix SIDR638DP-T1-GE3
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- SIDR638DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIDR638DP-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® SO-8
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1890
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| Teilenummer SIDR638DP-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC |
| Paket Tube |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SO-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8DC |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 204 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 10500 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) +20V, -16V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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