Vishay Siliconix SIE810DF-T1-E3
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- SIE810DF-T1-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIE810DF-T1-E3 Datenblatt
- 10-PolarPAK® (L)
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2491
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SIE810DF-T1-E3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 10-PolarPAK® (L) |
| Gerätepaket des Lieferanten 10-PolarPAK® (L) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 13000 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 2.5V, 10V |
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