Vishay Siliconix SIE832DF-T1-GE3
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- SIE832DF-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIE832DF-T1-GE3 Datenblatt
- 10-PolarPAK® (S)
- Jinftry-Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 3245
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| Part Number SIE832DF-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK |
| Package Jinftry-Reel® |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 10-PolarPAK® (S) |
| Supplier Device Package 10-PolarPAK® (S) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case 10-PolarPAK® (S) |
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