Vishay Siliconix SIHH24N65E-T1-GE3
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- SIHH24N65E-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIHH24N65E-T1-GE3 Datenblatt
- 8-PowerTDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2312
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| Teilenummer SIHH24N65E-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerTDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 8 x 8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 202W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2814 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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