Vishay Siliconix SIJH440E-T1-GE3
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- SIJH440E-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIJH440E-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 8 x 8
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4653
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| Teilenummer SIJH440E-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 8 x 8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 8 x 8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 158W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.96mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 4.5 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 20330 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) +20V, -16V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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