Vishay Siliconix SIR182LDP-T1-RE3
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- SIR182LDP-T1-RE3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIR182LDP-T1-RE3 Datenblatt
- PowerPAK® SO-8
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 10687
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| Teilenummer SIR182LDP-T1-RE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE |
| Paket Tube |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SO-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 83W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 31.7A (Ta), 130A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3700 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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Bemerkungen
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