Vishay Siliconix SIR846BDP-T1-RE3
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- SIR846BDP-T1-RE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIR846BDP-T1-RE3 Datenblatt
- PowerPAK® SO-8
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 19056
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| Teilenummer SIR846BDP-T1-RE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® SO-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2440 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 7.5V, 10V |
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