Vishay Siliconix SIR882BDP-T1-RE3
- SIR882BDP-T1-RE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIR882BDP-T1-RE3 Datenblatt
- PowerPAK® SO-8
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4512
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer SIR882BDP-T1-RE3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK |
Paket Bulk |
Serie TrenchFET® Gen IV |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer PowerPAK® SO-8 |
Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® SO-8 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16.5A (Ta), 67.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.3V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3762 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
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