Vishay Siliconix SIS108DN-T1-GE3
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- SIS108DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIS108DN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 7933
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| Teilenummer SIS108DN-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 80V 6.7A/16A PPAK |
| Paket Bulk |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 1212-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 24W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.7A (Ta), 16A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 545 pF @ 40 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 7.5V, 10V |
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