Vishay Siliconix SIS410DN-T1-GE3
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- SIS410DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIS410DN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 5273
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SIS410DN-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 1212-8 |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1600 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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