Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3
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- SISS02DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SISS02DN-T1-GE3 Datenblatt
- PowerPAK® 1212-8S
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 6009
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| Teilenummer SISS02DN-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer PowerPAK® 1212-8S |
| Gerätepaket des Lieferanten PowerPAK® 1212-8S |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 51A (Ta), 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4450 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) +16V, -12V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
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