Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3
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- SIZ270DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SIZ270DT-T1-GE3 Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 1381
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| Teilenummer SIZ270DT-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE |
| Paket Bulk |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| Power-Max 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 860pF @ 50V, 845pF @ 50V |
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