Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3
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- SIZF300DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SIZF300DT-T1-GE3 Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 21304
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SIZF300DT-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-PowerPair® (6x5) |
| Power-Max 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
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Bemerkungen
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