Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3
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- SIZF920DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SIZF920DT-T1-GE3 Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 2205
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| Teilenummer SIZF920DT-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 |
| Paket -Reel® |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-PowerPair® (6x5) |
| Power-Max 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
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Bemerkungen
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