Vishay Siliconix SIZF928DT-T1-GE3
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- SIZF928DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SIZF928DT-T1-GE3 Datenblatt
- 8-PowerWDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2300
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| Teilenummer SIZF928DT-T1-GE3 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Vishay Siliconix |
| Beschreibung DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie TrenchFET® Gen IV |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerWDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-PowerPair® (6x5) |
| Power-Max 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds - |
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