SPI12N50C3XKSA1

Infineon Technologies SPI12N50C3XKSA1

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  • SPI12N50C3XKSA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SPI12N50C3XKSA1 Datenblatt
  • TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4450
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
SPI12N50C3XKSA1
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
Paket
Tube
Serie
CoolMOS™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TO262-3-1
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
560 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
3.9V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1200 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

SPI12N50C3XKSA1 Garantien

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