Infineon Technologies SPI12N50C3XKSA1
- SPI12N50C3XKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SPI12N50C3XKSA1 Datenblatt
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4450
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer SPI12N50C3XKSA1 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3 |
Paket Tube |
Serie CoolMOS™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO262-3-1 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 125W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 560 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.9V @ 500µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1200 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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