Infineon Technologies SPW11N80C3
- SPW11N80C3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SPW11N80C3 Datenblatt
- TO-247-3
- TO-247-3
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2721
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer SPW11N80C3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Infineon Technologies |
Beschreibung MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
Paket TO-247-3 |
Serie CoolMOS? |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO247-3 |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 156W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 3.9V @ 680µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1600pF @ 100V |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V |
Vgs (Max) 20V |
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