Infineon Technologies SPW35N60C3FKSA1
- SPW35N60C3FKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SPW35N60C3FKSA1 Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1763
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer SPW35N60C3FKSA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 |
| Paket Tube |
| Serie CoolMOS™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten PG-TO247-3-1 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 313W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 34.6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 21.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.9V @ 1.9mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4500 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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