SQJQ140E-T1_GE3

Vishay Siliconix SQJQ140E-T1_GE3

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • SQJQ140E-T1_GE3
  • Vishay Siliconix
  • AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SQJQ140E-T1_GE3 Datenblatt
  • PowerPAK® 8 x 8
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2233
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
SQJQ140E-T1_GE3
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® 8 x 8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
3.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
288 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
17000 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

SQJQ140E-T1_GE3 Garantien

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