Vishay Siliconix SQM110P06-8M9L_GE3
- SQM110P06-8M9L_GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 110A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SQM110P06-8M9L_GE3 Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 905
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer SQM110P06-8M9L_GE3 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Vishay Siliconix |
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 110A TO263 |
Paket -Reel® |
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten TO-263 (D²Pak) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 230W (Tc) |
FET-Typ P-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7450 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
SQM110P06-8M9L_GE3 Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu SQM110P06-8M9L_GE3 ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
Vishay Siliconix

In 1996, Vishay Siliconix became a part of Vishay. Vishay Siliconix is a company that manufactures semiconductor devices and integrated circuits.
Vishay Siliconix products mainly include high-performance power MOSFETs, insulated gate bipolar transistors, power...

SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SQM50020EL_GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SQP50P03-07_GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SQP90P06-07L_GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

IRFB18N50KPBF
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK